cs10n60功能脚（cs20n60参数引脚排列）

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不可以，因为两款型号的耐压性能与规格完全不同，7S60是7A60V，cS830场效应管主要参数是5A/500V。

设置方法如下：液晶电源板上的CS830，是绝缘栅(MOSFET) 场效应管，沟道类型为N沟道，导电方式为增强型。主要用于电源适配器、充电器等线性放大电路和功率开关电路中。它可以用IRF830进行替代。

A/500V，k3568。海信集团控股股份有限公司，即“海信”，成立于1969年，拥有海信视像（600060）、海信家电（000921）和三电控股（6444）三家，新推出的cS830的场效应管主要参数是5A/500V，用k3568晶体管代换。

只要你的实际应用电压不超过400V，就可以代换。电流不用考虑了。场效应晶体管简称场效应管。主要有两种类型和金属 - 氧化物半导体场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。

场效应管cs8n60用FNK8n60型号管子代换。场效应管cs8n60参数：N-沟， 8n60，5A，600V，RDS=2欧。FNK8n60参数：N-沟，5A，650V，RDS=2欧。

可以用很多10A耐压600V或以上的N型MOSFET管代替，前边的字母可以忽略不计，有很多厂商都在生产这种型号的管子，只要中间含有10N60的管子，一般都可以代替，不一定要买FQPF字头的，FQPF只是美国仙童公司产的型号。

1、N60属于TO-220AB封装系列。它的本体长度为187mm，加引脚长度为28mm，宽度为16mm，高度为7mm，脚间距为54mm。

2、场效应管cs8n60参数：8n60，5A，600V，RDS=2欧。10n60参数：10A，600V，RDS=0.73欧。

3、①、如果这10N60的场效应管的参数是/耐压：600Ⅴ/电流：10A/。②、向以上此场效管可直接用 11N60代换。

场效应管。cs2n60f是N沟道场效应管，是属于金属氧化物半导体场效应晶体管，经常用于载流子导电的半导体器件。场效应管主要有两种类型，结型场效应管和金属氧化物半导体场效应管，由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。

这个是场效应管，多用于电拼车充电器内部，该型号器件耐压在600V+，不能用普通管子代换，拆机管子价格在5-3元内（最好能够购买到韩国产的）。

cS830场效应管主要参数是5A/500V。可以用k3568晶体管代换。它俩的参数一样，性能功率相同。可以用k3568代换。换：凡词谱中注有换平者，必其上句皆押仄韵，至此则换平韵。或上句皆押平韵，至此另换一平韵，亦称换平。

cs12n60f参数及代换是：cs12n60参数：电流12A，电压600V。可用cs15n65代换，cs12n60f是12A600V的大功率场效应管，可以用同类型的参数相等或大一些的管代换，也就是cs15n65代换。

N60 ：N沟道MOSFET功率，10A 600V。10N60是耐压600V，电流10A的N沟道场效应管。13N50是耐压500V，电流13A的N沟道场效应管。只要你的实际应用电压不超过400V，就可以代换。电流不用考虑了。场效应晶体管简称场效应管。

功率指物体在单位时间内所做的功的多少，即功率为描述做功快慢的物理量。功的数量一定，时间越短，功率值就越大。求功率的公式为功率=功/时间。功耗，功率的损耗，指设备、器件等输入功率和输出功率的差额。

，对于高度为0的人来说。一般来讲，电流大于10A的，电压高于500V的可以称为大功率，但不绝对。

FQPF2N70是TO-220F封装的N沟道 MOS场效应管，参数为2A/700V；10N60也是TO-220F封装的N沟道 MOS场效应管，参数为10A/600V，本着换大不换小的原则，推荐用N沟道的700V以上场效应管代换。

编辑-Z 100N10在TO-220AB封装里的栅极阈值电压VGS(TH)为4V，是一款大功率MOS管。100N10的脉冲漏极电流IDM为390A，连续漏极电流(ID)为100A，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。

万用表测量三脚之间阻值，有一个脚和另外两脚没阻值。这个管很好买，6n60c 10n60c 12n60c可以换。

1、场效应管：CS12N60，电压：600V，电流是：12A 场效应管：DG5N60，电压：600V，电流是：5A 如果是电动车充电器上面，则是可以代换的。场效应管的作用：场效应管可应用于放大。

2、电动车78v充电器功率管cs12n60可以用FNK12N60代替。cs12n60场效应管的名字也来源于它的输入端（称为gate）通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。

3、第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。例如，3DJ6D是结型P沟道场效应三极管，3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应三极管。

4、CS12N 65三极管。场效应管第一种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。

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