fp75r12kt3引脚功能图（fp75r12kt4引脚功能图）

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严格来讲不行。--C3主要表示内部的径向间隙要比不带C3的大，不带C3寿命会受影响或最坏的后果-抱死，安装尺寸两个都一样。

能。gd40pit120c5s是一款高速低噪音大电流输出双运放，工作电压范围：5V-32V，输出电流：+65ma/-100ma，增益带宽积：20mhz，转换速率：18V/_s，输入电压噪声：15nV/√Hz，很容易买到的。

虽然从参数上看有一点理论上小小的区别，实际上12ke3和12kt3在使用上是通用的，都是1200v的50A的模块。唯一的区别就是ke3的功率270w，kt3的功率280w。

1、需要多大的驱动电流，最好查手册，百度文库里的《IGBT驱动器驱动能力计算》一文，比较详细地介绍了有关内容。它内部的计算例子，200A的需要的驱动电流为6A多。

2、通常情况下，IGBT模块的额定电流可能会比IGBT驱动芯片的额定电流大一些，因为它需要承受较高的负载电流。而IGBT驱动芯片的主要功能是提供足够的电流和电压来控制IGBT模块的开关，因此，其额定电流应该足以满足这个需求。

3、对于大功率IGBT，选择驱动电路基于以下的参数要求：器件关断偏置、门极电荷、耐固性和电源情况等。

4、IGBT单管焊机的驱动电压一般是2~3V，但是都不会超过18V。驱动必须使用交流电流。IGBT 处于导通态时，由于它的PNP 晶体管为宽基区晶体管，所以其B值极低。

5、GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。IGBT是电压控制元件，IGCT才是电流控制元件。

ff300r12kt3和kt4区别是舒适度和使用材质。

KE——低饱和压降型，KT——低饱和压降高频型。饱和压降就是：当晶体管达到饱和导通时晶体管集电结（ C）与发射结（E）之间的电位差。压降就是：两点之间的电位差。

虽然从参数上看有一点理论上小小的区别，实际上12ke3和12kt3在使用上是通用的，都是1200v的50A的模块。唯一的区别就是ke3的功率270w，kt3的功率280w。

严格来讲不行。--C3主要表示内部的径向间隙要比不带C3的大，不带C3寿命会受影响或最坏的后果-抱死，安装尺寸两个都一样。

比国产P型的都小。举例510－025A（11KW）用的就是FS25R12KE3(25A)，550-023A(11KW)用的是FP25R12KE3，ACS800-0016(11KW)用的是FS35R12KT3(35A)，11KW的机器用如此小的模块实在不敢苟同，即使你算法再精妙。

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