6264芯片的功能变的简单介绍

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1、存储器芯片6116264的地址线和数据线分别有8根和16根。存储容量为16kb，没有说明几位。如果是8位，就是14条地址线，8条数据线。rom芯片的容量为8k×8位，这个地址线13位，数据线8位。根地址选择线，8根数据线。

2、存储器芯片6116264的地址线和数据线分别有8根和16根。存储容量为16kb，没有说明几位。如果是8位，就是14条地址线，8条数据线。rom芯片的容量为8k×8位，这个地址线13位，数据线8位。

3、SRAM芯片的存储容量为64k*16位，该芯片的地址线是16根，数据线是16根。容量为1Mbit。型号为628128的SRAM芯片，被定义为131072word×8bit，即128K×8bit，也就是1M位静态RAM。SRAM6264芯片存储器容量是8K*8，6264。

4、地址线的数量n满足：2^n=存储容量的比特数，解出最小的n，即是地址线的数量。地址线是用来读取或写入数据的，所以数据线的数量，与存储单元的位数相同。地址线是用来传输地址信息用的。

1、页面映射技术就是通过地址线锁存的方式来依次输出分页索引和页内地址。

2、K*8的SRAM芯片组成16K*16的存储器，需要16片SRAM芯片，产生片选信号的地址是3位。

3、在8086/8088组成的计算机中的作用是( ② )。① 数据缓冲器 ② 总线控制器 ③ 地址锁存器 ④ 提供系统时钟CLK指令 MOV 0283H[BX][SI] ， AX 中目标操作数的寻址方式为( ② )。

4、如下图是常见的两坐标简易数控系统的组成框图。

5、一个16K×8位的存储器，其地址线和数据线的总和是__D___。A.48；B.46；C.17；D.21在间址周期中，__C___。

1、4芯片本身要用13条地址线，MCS-51单片机还剩3条高位地址线，所以最多可扩展3片6264。3块芯片的地址范围分别是：6000-7FFF A000-BFFF C000-DFFF --- 楼上说是8片，那是采用了译码法，而不是线选法。

2、用线选法最多可扩展6片8255。加个锁存器，用作输出口，用P3或P1中的控制锁存。输入口不会出错。如果是因为I/O不够用，再扩一个8255。

3、根，2-4译码接6264片选，原来的11根+2根=13根，在使用译码法同时扩展多片数据存储器芯片时，在各存储芯片间能共用的信号包括（WR）（RD）和（ALE）。

4、请作出基于MCS51系列单片机关于存储器4片6264的扩展电路图，并写出各地址范围！(26分)与下图类似，在74LS138的Y2和Y3输出再接两个6264即可。

1、Intel 6264的操作方式由OE，WE， CE1 ， CE2的共同作用决定① 写入：当WE和CE1为低电平，且OE和CE2为高电平时，数据输入缓冲器打开，数据由数据线D7～D0写入被选中的存储单元。

2、将P0接到74LS373进行锁存，373的ALE接到单片机的ALE上。373输出接到2764和6264的地址线低8位。将P0口再接到2764和6264的数据线上，记得要在P0每根线上接上拉电阻。把单片机的WR，RD线和2766264的WR，RD线连接。

3、CE1（chip enable）：片选信号1，输入，在读/写方式时为低电平。CE2（chip enable）：片选信号2，输入，在读/写方式时为高电平。VCC：+5V工作电压。GND：信号地。

KM6264BL-7L是8K×8Bit的低功耗静态随机存储器芯片，保持电压只需2V，韩国三星的产品。

而6264是8K×8的SRAM芯片，需要8个芯片，地址需要13位作为片内地址选择线，3位作为芯片选择线。

WE（write enable）：写允许信号，输入，低电平有效。CE1（chip enable）：片选信号1，输入，在读/写方式时为低电平。CE2（chip enable）：片选信号2，输入，在读/写方式时为高电平。VCC：+5V工作电压。GND：信号地。

型号为628128的SRAM芯片，被定义为131072word×8bit，即128K×8bit，也就是1M位静态RAM。SRAM6264芯片存储器容量是8K*8，6264。容量的公制单位是升。容量也指物体或者空间所能够容纳的单位物体的数量。

是1K×4的SRAM芯片，需要64×2＝128个芯片，地址需要10位作为片内地址选择线，6位作为芯片选择线。而6264是8K×8的SRAM芯片，需要8个芯片，地址需要13位作为片内地址选择线，3位作为芯片选择线。

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