hrf3205功能（hr3051f2）

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理论上是没问题的，但两个MOS是有区别的， 100N03是100A 30V 5MΩ左右的管子，3205是110A 55V 8MΩ的管子，替代是没问题的，主要看怎么用。场效应管是单极型三极管，IRF3205可用如下代替。

lr8726可以用逆变器代替。可以将12V电源电压变为220V市电，电路由BG2和BG3组成的多谐振荡器推动，再通过BG1和BG2驱动，来控制BG6和BG7工作。HRF3205输入输出电容较大，工作频率稍低，如果工作频率在100KHz以内可以代。

MCU。4输出低电平时，光耦的输出导通，JP15原意应该输出低电平，1，2脚断开；但这个电路根本不具备吸电流能力，所以JP15相当于悬空状态！同时HRF3205也只会慢慢关断。

从你的语句可以看出，你定义了一个过程SETUPdll，其功能实现来源于第三方动态链接库“refprop.dll”，至于调用声明中的参数各自代表什么含义，那要问refprop.dll的编写者，他应该提供其他开发者开发文档，详述各个参数的作用。

1、三极管IRF3205可以用电流差不多的场功率管换，如70N06，85N06，IRFP250等等。IR的HEXFET功率场效应管irf3205采用先进的工艺技术制造，具有极低的导通阻抗。

2、前级管子肯定是一个型号，只要一直能看清是3205就全部是3205。

3、HRF3205为N沟场效应三极管。（Fairchild仙童公司生产。凡达到或接近如下参数者均可代用）I：100A。VDs：55V。Rds：8mΩ。PD：175W。

4、IRF3205 场效应管参数：电压55V ，电流110A 。

5、可以用IRF3205代换IRF3710 ，不能用IRF3710代换IRF3205。相关参数如下：场效应管 IRF3205 参数是（55v，90A）场效应管 IRF3710 的参数是（100v，57A）代换原则是：与原来原件相同；替代品的参数要不小于原参数。

6、不可以，场效应管是电压控制，三极管是电流控制器件，驱动电路不同。

FGA25N120，电流25A，耐压1200V。FGA15N120，电流15A，耐压1200V.K25T120，电流25A耐压1200V。可互换，FGA15N120电流稍少了些，1500W以下可用。

大代小当然可以电路不需要任何修改两者差别正如1L说的 fga15n120(15A)fga25n120(25A)希望对你有所帮助，望采纳。

FGA15N120是采用飞兆半导体专有的沟槽设计和先进的NPT技术，耐压值1200V的NPT型IGBT管，是电磁炉中常用的IGBT管之一。其基本参数为25℃下Ic=30A，Vces=1200V，电磁炉更换IGBT管功率相同Ic大于15A耐压值为1200V的即可。

电磁炉功率管问题fga15n120完全可以用fga25n120替代后者功率更大。

N120功率为15A，内带阻尼二极管。只要是电流大于或等于15A的，耐压1200V的都可以的，但不能大太多，否则驱动会有问题。可以用25N120功率20A，其余参数完全相同。电流大的可以换电流小的，反之不行。

1、前级管子肯定是一个型号，只要一直能看清是3205就全部是3205。

2、这个电路图有问题，不能工作。给你发一个简易电路图。

3、对于液晶电视，只要比电视标的功率大2倍的逆变器可以。比如：液晶电视标100W的，我们配300W逆变器绝对可以用。

你的电路工作频率是多少？HRF3205输入输出电容较大，工作频率稍低，如果工作频率在100KHz以内可以代。

到此，以上就是小编对于hr3051f2的问题就介绍到这了，希望介绍的几点解答对大家有用，有任何问题和不懂的，欢迎各位老师在评论区讨论，给我留言。