si2302引脚功能（si2302引脚图）

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1、其实这两颗mos管都是2302这个型号，只不过SI2302是市面上一般的2302打的中性标签，而SI2302DS是VISHAY的型号。场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。

1、相对于三极管，用小功率mos管，比如SI230SI2302，在实际使用中不是很理想，主要是微功率MOS管，容易烧坏，抗冲击能力太弱尤其是mos管导通之后的内阻太低，容易被瞬间大电流冲击烧坏。

2、ASEMI低压MOS管SI2302的参数为：最大电压为30V，最大电流为4A，Rds（on）为0.14Ω，漏极极容为7nF，能耗为8W，最大功耗为5W。

3、耗尽型N沟道的MOS管有：BSP149，BSP135，BSS229等高耐压的　英飞凌品牌的。

场效应管电流3A，电机驱动模块每路输出2A，并用能满足要求，但是电路结构要更改，因为驱动模块还有其它控制端，因此不能直接替换。是可以通过更改电路来控制空心杯电机。没有问题。

①、关于以上的这MOS管Sl2302是不能替代AO3400A管子的，原因是，向那SI2302属于N沟道MOS场效应管，参数是//耐压：20V//电流：1A，而那AO3400A也属于N沟道MOS场效应管，参数是//耐压：30V//电流：7A//。

相对于三极管，用小功率mos管，比如SI230SI2302，在实际使用中不是很理想，主要是微功率MOS管，容易烧坏，抗冲击能力太弱尤其是mos管导通之后的内阻太低，容易被瞬间大电流冲击烧坏。

它也是一个极限参数，是指20N20性能不变坏时允许的最大漏源功率耗散。使用时，20N20的实际功耗应小于PDSM，并留有一定的余量。IDSM—最大漏源电流。

耗尽型N沟道的MOS管有：BSP149，BSP135，BSS229等高耐压的　英飞凌品牌的。

SI2301是P沟道，SI2302是N沟道。不能代替的！ME2302可以代替SI2302。

ASEMI低压MOS管SI2302的参数为：最大电压为30V，最大电流为4A，Rds（on）为0.14Ω，漏极极容为7nF，能耗为8W，最大功耗为5W。

SI2301是P沟道，SI2302是N沟道。不能代替的！ME2302可以代替SI2302。

其实这两颗mos管都是2302这个型号，只不过SI2302是市面上一般的2302打的中性标签，而SI2302DS是VISHAY的型号。场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。

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