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三极管F640可以什么代替
1、用场效应三级管代替。场效应管用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。
2、代替如下：IRFS640A 200V ，8A 43W 代替 IRF640 200V 18A 125W 634。840，740都可以用 10N60。
3、IRF820N 很普通的MOS管，参数相同有很多的替代品。
4、如果是小功率的N沟道增强型场效应管，可以用NPN型三极管来勉强替代。
5、可以使用9013代替，只要符合参数的晶体管都可以。
什么原件可以替换irf4705
F640 N沟道场效应三级管 200V 18A.可以用IRF640，IRL640NS，FQP19N20代用。
如果是小功率的N沟道增强型场效应管，可以用NPN型三极管来勉强替代。但是象IRFZ44这样的大功率MOS管，它的导通电阻很低，三极管和它的差异就比较大，你的电源电压只有7V，三极管的饱和压降就会对电路的效率产生明显的影响。
因为两者的电气参数存在明显的差异，不能直接替换使用。如果需要将IRF540替换成H20R1203，需要重新评估电路参数，确保替换后的电路能够正常工作。反之亦然。
可直接用：ⅠRF3415型场效应管代换。②、关于13N50T场效应管参数：/耐压：500Ⅴ// /电流：14A//功率：190W// 向这个管可直接用 FQA13N50C代换。
①、首先这IRF840属于N–M0SFET功率场效应管其参数是：/耐压：500V/电流：8A/功率：125W/。②、以上此管直接代换型号是：IRF84IRF84IRF843，等等。
、IR、VISHAY，封装类型为TO-220AB。特点不同：irf540n IRF在堆叠之前要先了解堆叠设备的规格，一个堆叠最多支持多少个设备，或者最多支持多少个端口。电流不同：irf540n漏极电流，Id最大值：33A。IRF为27A。
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