20n60场效应管引脚功能（20n06场效应管引脚图）

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n60c3引脚参数是40A/600v。根据查询相关资料信息可知，20n60c3引脚参数参数是40A/650V的三极管20N60S5来代换。8024电源管理芯片的引脚参数是工作电压24伏，工作电流10安培，输出功率12瓦。

N60C3的主要参数是：Vces=600V、Ic=20A、Po=164W，而FGA25N120ANTD的主要参数是：Vces=1200V、Ic=50A、Po=150W，只从主要参数看是没有问题的。不过FGA25N120ANTD的C、E之间有保护二极管的，应该注意。

jfam20n60c参数是：耐压600V、电流20A、功率208W。根据查询相关信息显示：20N60C场效应管参数：耐压600V、电流20A、功率208W。是一带阻的N沟道场效应管，应以H20T1HW20T1H20R120H20R120GT40T301代换。

N60可以mDF12N50可以带换。11N60C3的参数是600V， 11A，50W， 0.55Ω ，K2645参数是600V， 9A，50W， 0.75Ω 一般不能代换，小功率场合可以，代换后发热稍大。

n60c3是一款N沟道MOS场效应晶体管。根据查询相关公开信息显示，20N60C3是一款N沟道MOS场效应晶体管。它的主要特点是功率大、损耗低、可靠性高，在电源管理、变换器等领域得到了广泛应用。

1、p20nm60是n道沟，20a，600v场效应管，正面放置，引脚朝下，从左到右，依次为gds，三个电极。

2、场效应管的管脚排列规律是这样的：带字的一面面对自己，从左到右依次为：G极（栅极），D极（漏极），S极（源极）。场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。

3、可以用测电阻法测量场效应管的好坏，用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。

A，600V。只要满足这些参数就可以代换。其实20N60这个管子是最容易买到的。

是MOS管，直观上观察是能效更高的Cool-Mos管。只要看到C3就能明确知道这是英飞凌的系列，而C3是英飞凌MOSFET里面非常经典的系列，各方面性能表现都是相当出色的，而价格也是相对其他品牌高昂的。

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